各位访客大家好!今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于瞬时言语记忆的问题，于是小编就整理了几个相关介绍的解答，让我们一起看看吧，希望对你有帮助
简述瞬时记忆、短时记忆和长时记忆的特点以及它们的关系。
1、短时记忆中的信息得到复述后就进入长时记忆。长时记忆是记忆三级信息加工的最后一个阶段，其特点为：1）信息保持时间长久，从几分钟、几天、几年到终生。2）容量无限，是一个庞大的信息库。
2、瞬时记忆的特点是：有鲜明的形象性；记忆容量较大，作用于感觉器官的所有信患均可进入瞬时记忆；信息保持时间极短，视觉信息不超过1秒钟，听觉信息不超过2秒，超过这个时间，就会消失，但如果受到注意，就会转入短时记忆。
3、短时记忆中的信息是当前正在加工的信息，因而是可以被意识到的。短时记忆中既有从瞬时记忆中转来的信息，也有从长时记忆中提取出来的信息，它们都是当前正在加工的信息，所以短时记忆又叫工作记忆。
4、短时记忆包含有来自长时记忆中的信息，短时记忆和长时记忆是高度地相互依存的。长时记忆涉及到被相对持久地编码过的、大量的信息。【特点】瞬时记忆：瞬时记忆在瞬时间能储存大量的信息。进入感受器的信息几乎都被储存。
5、瞬时记忆中的信息，如果予以注意则可以进入短时记忆；短时记忆中的信息经过复述和再编码，便可进入长时记忆之中。短时记忆也包含有来自长时记忆中的信息，短时记忆和长时记忆是高度地相互依存的。
6、长时记忆的容量是个天文数字，几乎是无限的。在长时记忆中，信息可能保存至永远。短时记忆是20世纪60年代后才引起人们广泛研究的。自19世纪德国心理学家艾宾浩斯首先系统地研究记忆以来，长时记忆一直是心理学家关注的焦点。
瞬时记忆进入短时记忆的条件
瞬时记忆进入短时记忆的条件是对识记的材料加以注意和意识到瞬时记忆的信息。瞬时记忆也称感觉记忆，信息储存时间极为短暂的记忆，通常指保存特时间在0.25秒至2秒钟以内的记忆。
短时记忆的信息经过复述，机械复述或运用记忆术所做的精细复述，可以转入长时记忆的系统。
瞬时记忆保持时间在一秒以内，容量较大，以物理特征编码方式为主。由于保持时间短，若不稍加注意便会遗忘。瞬时记忆中只有能够引起个体注意并被及时识别的信息，才有机会被转入短时记忆。
怎么样才能做到瞬间记忆的方法
过目不忘记忆力训练方法 注意力训练 注意力等于记忆力，养成快速注意、注意保持的能力，能让你的记忆力大大提高。右脑记忆训练 [1] 瞬间记忆训练：请准备好瞬间记忆训练卡片。
重复记忆法：大量地重复背诵已经掌握的单词，使之变为“口头禅”，从而提高词汇量和语感，强化对单词的记忆。
冥想、打坐等，都能起到这个作用，目的是平时锻炼自己排除杂念。这个是有天分的，有的人天然就很厉害。但也可以通过后天努力来提高。需要平时训练，主要是为了提高注意力和联想能力。
瞬时记忆与长时记忆
1、根据记忆保持时间的长短，可将记忆分为瞬时记忆、短时记忆和长时记忆。(1)瞬时记忆 当客观刺激停止作用后，感觉信息在一个极短的时间内保存下来，这种记忆就叫瞬时记忆，也叫感觉记忆。如，视觉后像就属于瞬时记忆。
2、根据保留时间长短可将记忆分为瞬时记忆、短时记忆和长时记忆。瞬时记忆又叫感觉记忆，这种记忆是指作用于人们的剌激停止后，剌激信息在感觉通道内的短暂保留。信息的保存时间很短，一般在0、25～2秒之间。
3、（1）瞬时记忆的存储时间大约是0.25秒~2秒。（2）短时记忆的保持时间大约是5秒~2分钟。（3）长时记忆的存储时间在1分钟以上直至伴随人的终身。瞬时记忆，也称感觉记忆，是刺激作用于感觉器官所引起的。
4、瞬时记忆、短时记忆和长时记忆是人类记忆系统中三个不同的信息加工阶段，它们在信息的持续时间、记忆的容量、信息编码等方面各有不同，但三者之间又是相互联系、相互作用的。
5、(1)瞬时记忆、短时记忆、长时记忆是记忆系统的三个结构，它们在记忆保存时间、记忆编码和记忆容量等方面均表现出差异。
瞬时记忆
“瞬时记忆亦称“感觉记忆”，记忆系统的一种，刺激作用于感觉器官所引起的短暂记忆。瞬时记忆相对短时记忆而言，感觉登记保持的信息量较大，但它们都处于相对地未经加工的原始状态。
瞬时记忆的保存时间一般在1秒钟以内。解析：瞬时记忆的容量很大，但保留的时间很短。一般认为，瞬时记忆的容量为9～20比特，在斯波林的实验中，瞬时记忆的容量有9个以上的项目。
瞬时记忆 是通过感觉通道，来独立编码与暂存信息，它们所存储的信息极其短暂，几乎是瞬间完成的。短时记忆是在短时间内保留、维持和加工信息的过程。长时记忆是在很长的时间里存储信息并在特定的环境下提取、运用信息的过程。
瞬时记忆：瞬时记忆又叫感觉记忆，在瞬时记忆中材料保持的时间很短，约为0.25～2秒。短时记忆：短时记忆是指记忆信息保持时间在1分钟以内的记忆。记忆是一个系统，可以分为三个部分：感觉记忆、短时记忆和长时记忆。
(1)瞬时记忆、短时记忆、长时记忆是记忆系统的三个结构，它们在记忆保存时间、记忆编码和记忆容量等方面均表现出差异。
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